John Robertson讲述了金属半导体界面接触电阻对电子器件性能的影响，综述了过去在金属界面肖特基势垒调控的理论和实验进展凯发首页官网登录，特别是经典的金属诱导带隙态（MIGS）理论模型的优势与不足凯发首页官网登录凯发首页官网登录凯发首页官网登录凯发首页官网登录凯发首页官网登录，阐明了采用化合物金属接触实现硅基器件更小肖特基势垒高度和更低接触电阻的物理根源凯发首页官网登录，并将这一新型方案推广至诸如砷化镓/金属砷化物等界面凯发首页官网登录凯发首页官网登录，证明该方法的普适性凯发首页官网登录凯发首页官网登录凯发首页官网登录。

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　　本次讲座是武汉大学130周年校庆学术活动之一凯发首页官网登录，由科学技术发展研究院凯发首页官网登录凯发首页官网登录、电气与自动化学院共同承办凯发首页官网登录凯发首页官网登录凯发首页官网登录，电气与自动化学院郭宇铮教授主持讲座，来自全校各单位的200多位师生参加了讲座凯发首页官网登录。

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